CSD25310Q2 是一款由德州仪器(TI)生产的 N 通道增强型硅 Carbide MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关性能,适用于高效率、高频开关应用。它设计用于在汽车级温度范围内工作,因此非常适合需要高可靠性和高性能的汽车电子系统。
该 MOSFET 的主要特点是其基于碳化硅(SiC)技术,相比传统的硅基 MOSFET,具备更低的开关损耗和更高的工作频率。这些特性使其成为电动车、太阳能逆变器和其他功率转换系统的理想选择。
类型:N-Channel SiC MOSFET
额定电压:650V
额定电流:8A
导通电阻(最大值):70mΩ
栅极电荷(典型值):45nC
连续漏极电流:8A
功耗:1.5W
封装:TO-252 (DPAK)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CSD25310Q2 的主要特性包括:
1. 基于先进的碳化硅(SiC)技术,提供卓越的开关性能和低导通电阻。
2. 高额定电压(650V),适合各种高压应用场景。
3. 具有较低的栅极电荷和输出电荷,有助于减少开关损耗。
4. 支持高频操作,从而减小了无源元件尺寸,降低了整体系统成本。
5. 符合 AEC-Q101 标准,确保在恶劣环境下也能保持可靠性。
6. 工作温度范围宽广(-55°C 至 +175°C),适用于汽车和其他高温环境的应用。
7. 封装形式为 TO-252 (DPAK),便于表面贴装并提供良好的散热性能。
CSD25310Q2 广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子:电动车辆的牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器。
2. 太阳能逆变器:用于高效能量转换以提高系统整体效率。
3. 工业电源:服务器电源、通信电源和不间断电源 (UPS) 系统中的功率转换模块。
4. 电机驱动:工业自动化设备中的高效电机驱动器。
5. 快速充电器:消费类产品的高效 AC/DC 适配器和充电解决方案。
6. 其他需要高频和高效功率转换的场景。
CSD19506Q5A