时间：2025/3/31 17:48:31
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CSD2475G 是一款由德州仪器 (TI) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 GaN（氮化镓）技术，具有超低导通电阻和极快的开关速度，适用于高频、高效率电源转换应用。其封装形式为 LLP 8-1.4x1.6，能够显著降低寄生电感的影响，从而提升整体系统性能。
该器件在设计上注重提高功率密度和效率，广泛应用于 DC/DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和其他需要高性能开关的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：30nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：LLP 8-1.4x1.6
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.3mΩ，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，支持高达 MHz 级别的开关频率，非常适合高频应用。
3. 小巧的 LLP 封装形式，降低了寄生电感对性能的影响。
4. 高度可靠的 GaN 技术，确保在严苛环境下的稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，满足各种工业和汽车应用场景的需求。
6. 具备出色的热性能，有助于简化散热设计并减小整体解决方案尺寸。
1. 高效 DC/DC 转换器设计。
2. 负载点转换器 (POL)。
3. 服务器和通信设备中的电源模块。
4. 工业电机驱动和控制。
5. 汽车电子系统中的高效电源管理。
6. 任何需要高效率和高功率密度的开关应用。
CSD2474G
