时间：2025/5/6 20:44:55
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CSD22204W是一款来自TI（德州仪器）的N沟道增强型功率MOSFET，采用SON-8封装形式。这款器件具有低导通电阻和快速开关性能，适用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。其设计旨在优化电池供电设备、负载切换、DC/DC转换器等应用中的能耗表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻：2.9mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：19nC（典型值）
输入电容：705pF（典型值）
总功耗：2.5W
工作温度范围：-55℃至150℃
CSD22204W采用了先进的制造工艺，实现了超低的导通电阻和极高的效率。该器件在高频操作时表现出优异的开关性能，并且具备较低的栅极驱动损耗。
此外，其SON-8封装形式提供了卓越的热性能和电气性能，同时支持表面贴装技术，简化了PCB布局和生产流程。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装，该器件非常适合用于移动电源、笔记本电脑适配器以及消费类电子产品的电源管理部分。
该MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 手机和平板电脑充电器
- 笔记本电脑适配器
- DC/DC转换器
- 电机驱动控制
- 负载开关
- 电池保护电路
其高效率和低功耗的特点使其成为众多便携式电子设备的理想选择。
CSD18504Q5A, CSD18505Q5A, CSD19501Q5A
