时间：2025/5/6 20:55:02
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CSD19535KCS 是一款由德州仪器 (TI) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高效能电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。其封装形式为 QFN 封装（8 引脚），有助于提高散热性能和节省 PCB 空间。
该器件的设计重点在于优化开关性能与导通损耗之间的平衡，从而在高频工作条件下提供卓越的效率表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
栅极电荷：17nC（典型值）
输入电容：1290pF（典型值）
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
CSD19535KCS 具有非常低的导通电阻，这使得它能够在高负载电流下保持较低的功率损耗，进而提升整体系统效率。
此外，它的栅极电荷较小，确保了快速的开关速度，能够有效减少开关损耗。
由于采用了 QFN 封装，这款 MOSFET 还具备出色的热性能，能够将热量更有效地传导至 PCB，从而延长器件寿命并增强可靠性。
该器件支持较宽的工作温度范围，使其适用于各种恶劣环境下的工业和汽车应用。
CSD19535KCS 广泛应用于需要高效能开关的场景，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动电路
- 工业自动化设备中的负载切换
- 汽车电子系统的功率控制模块
- 笔记本电脑及平板充电适配器
其低导通电阻和高电流处理能力使它成为这些应用的理想选择。
CSD19536KCS, CSD19537Q5A
