时间：2025/5/6 20:39:30
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CSD19534KCS是德州仪器（TI）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力等特性。该器件广泛应用于各种功率转换和电机驱动应用中，包括DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关等领域。
此MOSFET的封装形式为QFN（8引脚），其紧凑的外形使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：26A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：28nC（典型值）
反向恢复电荷：12nC（典型值）
工作结温范围：5℃
热阻（结到壳）：20℃/W
CSD19534KCS的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高效率应用中表现优异。此外，该器件还具有以下特点：
1. 快速开关性能，降低了开关损耗。
2. 高雪崩能量能力，提高了系统的可靠性。
3. 低栅极电荷和输出电容，有助于实现高频操作。
4. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品设计中。
这些特性使CSD19534KCS成为高效功率转换应用的理想选择。
CSD19534KCS适用于多种电力电子应用场景，主要包括：
1. DC-DC转换器中的同步整流开关。
2. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动电路中的桥臂开关。
5. 充电器和适配器中的功率管理模块。
由于其出色的电气性能和散热特性，该MOSFET能够胜任从消费类电子产品到工业设备的各种复杂应用需求。
CSD18532KCS
CSD17532Q5A
