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CSD19531Q5A 发布时间 时间:2023/7/25 11:41:13 查看 阅读:671

产品概述

产品型号

CSD19531Q5A

描述

场效应管N-CH 100V 100A 8SON

分类

分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-单

制造商

德州仪器

系列

NexFET?

打包

切割带(CT

零件状态

活性

工作温度

-55°C?150°C(TJ)

供应商设备包装

8-VSONP(5x6)

包装/箱

8-PowerTDFN

基本零件号

CSD19531

产品图片

CSD19531Q5A

CSD19531Q5A

规格参数

制造商包装说明

符合RoHS标准,塑料,VSON-8

符合欧盟RoHS

符合中国RoHS

状态

活性

雪崩能量等级(Eas)

180.0兆焦耳

案例连接

排水

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(Abs)(ID)

100.0安

最大漏极电流(ID)

16.0安

最大电阻下的漏源

0.0078欧姆

DS击穿电压-最小值

100.0伏

反馈上限(Crss)

16.9 pF

场效应管类型

N通道

场效应管技术

金属氧化物半导体

JESD-30代码

R-PDSO-F5

JESD-609代码

e3

元素数

1.0

端子数

5

操作模式

增强模式

最低工作温度

-55℃

最高工作温度

150℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

长方形

包装形式

小轮廓

峰值回流温度(℃)

260

极性/通道类型

N通道

最大功耗(Abs)

125.0瓦

最大脉冲漏极电流(IDM)

337.0安

子类别

FET通用电源

安装类型

表面贴装

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

平面

终端位置

时间@峰值回流温度-最大(秒)

未标明

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

附加功能

雪崩等级

环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

特点

  • 超低Qg和Qgd

  • 低热阻

  • 雪崩等级

  • 无卤素

  • 塑胶包装

  • -55至150°C的工作结温范围

应用领域

  • 工业

  • 电源管理

  • 电机驱动和控制

  • 通信与网络

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CSD19531Q5A

CSD19531Q5A参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥13.36000剪切带(CT)2,500 : ¥6.79717卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.4 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)48 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3870 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.3W(Ta),125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-VSONP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN