时间：2025/3/31 17:49:42
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CSD19505KCS 是一款由德州仪器 (TI) 推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效能电源转换、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
其封装形式为 3.3mm x 3.3mm 的小尺寸 SON 封装，有助于节省电路板空间，同时提高散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷：6nC
输入电容：840pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，从而提升系统效率。
2. 快速开关速度，可减少开关损耗并支持高频操作。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小尺寸封装设计，便于 PCB 布局优化。
5. 热增强封装技术，提供卓越的热性能以应对高功率应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
1. DC-DC 转换器中的同步整流器。
2. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关。
3. 汽车电子系统的负载开关及电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 笔记本电脑及其他便携式设备的电池管理单元。
6. LED 驱动电路中的电流调节元件。
CSD18504Q5A, CSD19506KCQ
