时间：2025/5/6 21:04:07
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CSD18536KCS是来自德州仪器（TI）的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用先进的制程工艺设计，适用于需要高效率、低损耗的功率转换应用。该器件主要针对高频开关场景进行了优化，能够显著降低导通和开关损耗。其封装形式为SON-8（小外形无引脚封装），具有出色的热性能和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：27A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：47nC（典型值）
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55°C至175°C
封装类型：SON-8
CSD18536KCS具备非常低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
该器件的栅极电荷较低，可以有效降低驱动损耗，适合高频操作。
由于采用了SON-8封装，其散热性能优越，同时占板面积小，便于集成到高密度设计中。
其较高的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行，适合工业和汽车级应用。
MOSFET内部经过优化设计，可提供更高的可靠性和更长的使用寿命。
CSD18536KCS广泛应用于各种功率转换场景，包括但不限于：
DC-DC转换器
同步整流电路
电机驱动
电源管理模块
负载点（POL）转换
通信设备中的高效电源解决方案
电动车充电系统中的功率调节模块
工业自动化设备中的功率控制单元
CSD18540KCS
CSD18538KCS
CSD18537KCS
