CSD18536KCS是来自德州仪器(TI)的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的制程工艺设计,适用于需要高效率、低损耗的功率转换应用。该器件主要针对高频开关场景进行了优化,能够显著降低导通和开关损耗。其封装形式为SON-8(小外形无引脚封装),具有出色的热性能和紧凑的尺寸,非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:27A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:47nC(典型值)
开关速度:快速开关
工作结温范围:-55°C至175°C
封装类型:SON-8
CSD18536KCS具备非常低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
该器件的栅极电荷较低,可以有效降低驱动损耗,适合高频操作。
由于采用了SON-8封装,其散热性能优越,同时占板面积小,便于集成到高密度设计中。
其较高的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行,适合工业和汽车级应用。
MOSFET内部经过优化设计,可提供更高的可靠性和更长的使用寿命。
CSD18536KCS广泛应用于各种功率转换场景,包括但不限于:
DC-DC转换器
同步整流电路
电机驱动
电源管理模块
负载点(POL)转换
通信设备中的高效电源解决方案
电动车充电系统中的功率调节模块
工业自动化设备中的功率控制单元
CSD18540KCS
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