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CSD18536KCS 发布时间 时间:2025/5/6 21:04:07 查看 阅读:13

CSD18536KCS是来自德州仪器(TI)的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的制程工艺设计,适用于需要高效率、低损耗的功率转换应用。该器件主要针对高频开关场景进行了优化,能够显著降低导通和开关损耗。其封装形式为SON-8(小外形无引脚封装),具有出色的热性能和紧凑的尺寸,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:47nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作结温范围:-55°C至175°C
  封装类型:SON-8

特性

CSD18536KCS具备非常低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  该器件的栅极电荷较低,可以有效降低驱动损耗,适合高频操作。
  由于采用了SON-8封装,其散热性能优越,同时占板面积小,便于集成到高密度设计中。
  其较高的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行,适合工业和汽车级应用。
  MOSFET内部经过优化设计,可提供更高的可靠性和更长的使用寿命。

应用

CSD18536KCS广泛应用于各种功率转换场景,包括但不限于:
  DC-DC转换器
  同步整流电路
  电机驱动
  电源管理模块
  负载点(POL)转换
  通信设备中的高效电源解决方案
  电动车充电系统中的功率调节模块
  工业自动化设备中的功率控制单元

替代型号

CSD18540KCS
  CSD18538KCS
  CSD18537KCS

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CSD18536KCS参数

  • 现有数量529现货
  • 价格1 : ¥36.01000管件
  • 系列NexFET?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.6 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)108 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11430 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3