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CSD18533Q5A 发布时间 时间:2025/5/6 13:03:15 查看 阅读:12

CSD18533Q5A是德州仪器(TI)推出的一款N通道增强型功率MOSFET,采用SON-8封装形式。该器件适用于需要高效能和高可靠性的应用场合,例如负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理。此MOSFET具有较低的导通电阻和优异的开关性能,能够显著提升系统效率并减少功耗。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,当Vgs=10V时)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  反向恢复时间:16ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:SON-8

特性

CSD18533Q5A具备低导通电阻的特点,有助于降低传导损耗,从而提高整体电路效率。同时,其栅极电荷较小,意味着驱动所需的能量较少,进一步优化了开关性能。
  该器件的快速反向恢复时间和低反向恢复电荷确保在高频开关应用中表现卓越。此外,CSD18533Q5A的工作结温范围宽广,使其适合各种严苛环境下的应用需求。
  由于采用了小型化的SON-8封装,该芯片能够在有限的空间内提供强大的功率处理能力,非常适合对尺寸和重量敏感的设计场景。

应用

CSD18533Q5A广泛应用于消费电子、工业控制及通信领域。具体应用包括:
  - 负载开关:用于保护电路免受过流或短路影响。
  - DC-DC转换器:作为功率级开关,实现高效的电压转换。
  - 电机驱动:为小型直流电机提供精确的驱动信号。
  - 电池管理系统:用作电池保护和能量分配的关键元件。
  - 便携式设备电源管理:如智能手机、平板电脑和其他手持设备中的电源路径控制。

替代型号

CSD18502Q5A
  CSD18540Q5A

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CSD18533Q5A参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥11.45000剪切带(CT)2,500 : ¥5.18731卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A(Ta),100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.9 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)36 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2750 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.2W(Ta),116W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-VSONP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN