时间：2025/5/6 20:37:00
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CSD17581Q5A 是一款由德州仪器（TI）生产的 NexFET 系列功率 MOSFET，采用先进的硅技术设计，主要用于高效能电源转换应用。该器件具有极低的导通电阻和优化的开关性能，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提高系统效率。
这款 MOSFET 适用于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换器、电机驱动器以及其他需要高效率和高频率操作的应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
封装：QFN
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：160A
Qg（栅极电荷）：24nC
EAS（雪崩能量）：13.6mJ
fT（特征频率）：2.9MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CSD17581Q5A 具有出色的电气性能和可靠性，其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗并提升整体效率。
2. 优化的栅极电荷 Qg 和开关性能，支持高频工作条件下的高效运行。
3. 增强的热性能，允许更高的电流密度和更小的散热需求。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在过流或短路情况下的鲁棒性。
5. 工作温度范围宽广，适合工业和汽车环境中的严苛应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
CSD17581Q5A 广泛应用于以下领域：
1. 服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器。
2. 高效负载点 (POL) 转换器。
3. 电机驱动器和逆变器。
4. 电动车辆中的牵引逆变器和其他电源管理系统。
5. 高频 PWM 控制器和同步整流电路。
6. 各种需要高性能 MOSFET 的工业及消费类电子产品。
CSD17579Q5A
CSD18541Q5B
