时间：2025/5/6 14:28:02
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CSD17579Q5A 是一款由德州仪器 (TI) 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能电源管理应用。
这款 MOSFET 的设计使其非常适合于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换器、电机驱动器以及其他需要高性能功率开关的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：46nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
CSD17579Q5A 具有非常低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，从而提高系统效率。此外，其高开关速度和低栅极电荷使得它在高频应用中表现出色，同时还能减少开关损耗。
器件还具备出色的热性能，这有助于提升系统的可靠性和稳定性，特别是在高温环境下运行时。此外，该器件符合 RoHS 标准，支持环保要求。
CSD17579Q5A 还采用了优化的封装设计，便于安装和散热，适用于表面贴装技术 (SMT) 生产流程。
这款 MOSFET 广泛应用于消费类电子、工业设备以及通信领域中的各种功率转换和管理任务。具体应用场景包括但不限于：
- 各种降压和升压 DC-DC 转换器
- 笔记本电脑和服务器中的负载点转换器
- 电动工具和家用电器中的电机驱动电路
- 高效 LED 驱动器解决方案
- 开关模式电源 (SMPS) 和电池充电器
CSD18533Q5A, CSD18532Q5A
