CSD17576Q5B 时间：2025/8/2 8:48:33 阅读：39

CSD17576Q5B 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高性能、低电压 N 沟道功率 MOSFET，采用 5mm x 6mm 封装（称为 SON5x6），具有高功率密度和优异的热性能。该器件设计用于在同步降压转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用中提供高效的功率转换。CSD17576Q5B 采用了先进的硅技术，以在低栅极驱动电压下实现极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：25V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　最大连续漏极电流（Id）@25°C：60A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：约 1.9mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=2.5V：约 2.7mΩ
　　热阻（RθJA）：约 29°C/W
　　封装：SON5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

CSD17576Q5B 具备一系列优异的电气和热性能特性，使其在高功率密度应用中表现出色。
　　首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5V 栅极驱动电压下仅为约 1.9mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了能效。即使在较低的栅极电压（如 2.5V）下，其导通电阻也保持在较低水平（约 2.7mΩ），这使其适用于低电压栅极驱动电路，例如由电池供电的系统。
　　其次，CSD17576Q5B 的封装设计采用了 SON5x6 技术，这种封装不仅体积小巧，而且具备优异的热管理能力，热阻（RθJA）约为 29°C/W，能够有效散热，从而提高器件在高电流应用中的可靠性。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 60A 的连续漏极电流（在 25°C 下），使其适用于高功率输出的应用，如 DC-DC 转换器和电机驱动器。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应了各种严苛的工业和汽车环境。
　　最后，该器件具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，进一步增强了其在高应力条件下的稳定性和可靠性。

应用

CSD17576Q5B 广泛应用于需要高效功率转换和高电流处理能力的场合。典型应用包括同步降压转换器、负载开关、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率管理模块。由于其低导通电阻和良好的热性能，它特别适合用于高性能计算设备（如服务器和笔记本电脑）中的电源调节系统。此外，在新能源汽车和储能系统中，CSD17576Q5B 也可作为关键的功率开关元件使用。