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CSD17576Q5B 发布时间 时间:2025/8/2 8:48:33 查看 阅读:31

CSD17576Q5B 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款高性能、低电压 N 沟道功率 MOSFET,采用 5mm x 6mm 封装(称为 SON5x6),具有高功率密度和优异的热性能。该器件设计用于在同步降压转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用中提供高效的功率转换。CSD17576Q5B 采用了先进的硅技术,以在低栅极驱动电压下实现极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗并提高系统效率。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):25V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  最大连续漏极电流(Id)@25°C:60A
  导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V:约 1.9mΩ
  导通电阻(Rds(on))@Vgs=2.5V:约 2.7mΩ
  热阻(RθJA):约 29°C/W
  封装:SON5x6
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

CSD17576Q5B 具备一系列优异的电气和热性能特性,使其在高功率密度应用中表现出色。
  首先,该器件具有非常低的导通电阻(Rds(on)),在 4.5V 栅极驱动电压下仅为约 1.9mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了能效。即使在较低的栅极电压(如 2.5V)下,其导通电阻也保持在较低水平(约 2.7mΩ),这使其适用于低电压栅极驱动电路,例如由电池供电的系统。
  其次,CSD17576Q5B 的封装设计采用了 SON5x6 技术,这种封装不仅体积小巧,而且具备优异的热管理能力,热阻(RθJA)约为 29°C/W,能够有效散热,从而提高器件在高电流应用中的可靠性。
  此外,该 MOSFET 支持高达 60A 的连续漏极电流(在 25°C 下),使其适用于高功率输出的应用,如 DC-DC 转换器和电机驱动器。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适应了各种严苛的工业和汽车环境。
  最后,该器件具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能,进一步增强了其在高应力条件下的稳定性和可靠性。

应用

CSD17576Q5B 广泛应用于需要高效功率转换和高电流处理能力的场合。典型应用包括同步降压转换器、负载开关、电机控制器、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统中的功率管理模块。由于其低导通电阻和良好的热性能,它特别适合用于高性能计算设备(如服务器和笔记本电脑)中的电源调节系统。此外,在新能源汽车和储能系统中,CSD17576Q5B 也可作为关键的功率开关元件使用。

替代型号

CSD17579Q5B, CSD17580Q5B, CSD17586Q5B

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CSD17576Q5B参数

  • 现有数量396现货10,000Factory
  • 价格1 : ¥10.41000剪切带(CT)2,500 : ¥4.50760卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)68 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4430 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-VSONP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN