CSD17573Q5BT 时间：2025/12/24 16:18:29 阅读：16

CSD17573Q5BT是一款由德州仪器（TI）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的硅技术制造，具有高性能和高可靠性。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，例如在DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路中使用。该MOSFET采用5引脚TSOP封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于需要高效、小型化设计的系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：15A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ @ VGS = 4.5V
　　栅极电压（VGS）：最大±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：5引脚TSOP

特性

CSD17573Q5BT具备多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在4.5V栅极电压下，RDS(on)仅为5.3mΩ，这使得该器件能够在高电流条件下保持较低的功率损耗。此外，该MOSFET的高电流承载能力（最大连续漏极电流为15A）使其适用于高功率密度设计。
　　其次，该器件采用先进的封装技术，具有优异的热管理性能。5引脚TSOP封装不仅提供了良好的散热能力，还支持PCB布局中的空间优化，适用于紧凑型设计。其高耐热性和宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在极端环境下的稳定运行。
　　此外，CSD17573Q5BT具有高栅极电压耐受能力（±20V），提高了器件在高噪声环境下的抗干扰能力，增强了系统稳定性。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体电源转换效率。该MOSFET还具备较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装设计满足现代电子产品对环保法规的要求，适用于消费电子、工业自动化、通信设备及汽车电子等多种应用场景。

应用

CSD17573Q5BT广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中。常见的应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关控制、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及服务器和电信设备的电源模块。此外，它还可用于高功率LED驱动电路、工业自动化设备和便携式电子产品的电源管理子系统。
　　在DC-DC转换器中，CSD17573Q5BT作为高侧或低侧开关使用，其低导通电阻和高速开关特性有助于提高转换效率并减小散热器尺寸。在负载开关应用中，该器件可以快速开启和关闭电源路径，以保护系统免受过载和短路的影响。在电机控制电路中，它能够提供稳定的电流控制，确保电机运行的平稳性。此外，由于其优异的热性能和可靠性，CSD17573Q5BT也适用于汽车电子系统中的功率管理模块。