时间：2025/5/6 14:08:09
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CSD17571Q2 是一款由德州仪器 (TI) 推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的工艺技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，专为需要高效能和紧凑设计的应用而设计。其封装形式为 3.3mm x 3.3mm 的小外形晶体管封装（SON），非常适合空间受限的设计场景。
这种 MOSFET 常用于电源管理电路、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率传输控制等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷：4.8nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：SON
CSD17571Q2 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提升整体效率。
2. 高效的热性能设计，确保在高功率密度应用场景下稳定运行。
3. 快速的开关特性，支持高频操作，从而减小磁性元件的尺寸和重量。
4. 符合汽车级 AEC-Q101 标准，保证了其在严苛环境下的可靠性。
5. 小巧的封装尺寸，便于在空间有限的情况下使用。
6. 支持宽范围的工作温度，适应多种工业及汽车应用需求。
CSD17571Q2 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统，如电机驱动、照明控制和信息娱乐系统。
2. 工业自动化设备中的电源模块和负载切换。
3. 通信设备的电源适配器和 DC-DC 转换器。
4. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
5. 各种便携式电池供电设备，例如笔记本电脑和平板电脑。
6. 多通道电源管理系统中的功率分配与调节组件。
CSD17572Q2, CSD17573Q2
