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CSD17552Q3A 发布时间 时间:2025/5/6 16:17:12 查看 阅读:12

CSD17552Q3A 是一款由德州仪器(TI)生产的 N 沣道场效应晶体管(NFET)。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种高效能功率转换应用。这种 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理。
  该器件设计注重优化开关性能和热效率,同时提供出色的可靠性和耐用性。CSD17552Q3A 的封装形式为小外形晶体管封装(SOT),有助于节省电路板空间。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(Rds(on)):2.4mΩ
  栅极电荷:16nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装类型:SOT-23

特性

CSD17552Q3A 具有非常低的导通电阻,这使其在高电流应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。此外,其快速的开关速度使得它适合高频开关应用,例如降压或升压转换器。该器件还具备良好的热稳定性和耐热能力,能够在高温环境下持续运行。
  它的紧凑型 SOT-23 封装使其非常适合空间受限的设计,同时保持了较高的电气性能。由于采用了先进的硅技术,CSD17552Q3A 在动态和静态条件下均表现优异,可有效减少能量损耗并提高整体系统效率。

应用

CSD17552Q3A 广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信领域。典型的应用场景包括:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - DC-DC 转换器的高端和低端开关
  - 笔记本电脑和智能手机的电源管理模块
  - LED 驱动器和电机控制
  - 电池管理系统中的负载开关
  由于其低导通电阻和高效率,该器件是需要高性能功率管理解决方案的理想选择。

替代型号

CSD18502Q5A, CSD17570Q5A

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CSD17552Q3A参数

  • 现有数量0现货10,000Factory查看交期
  • 价格1 : ¥7.31000剪切带(CT)2,500 : ¥3.32704卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Ta),60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2050 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.6W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SON(3.3x3.3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN