CSD17552Q3A 是一款由德州仪器(TI)生产的 N 沣道场效应晶体管(NFET)。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种高效能功率转换应用。这种 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理。
该器件设计注重优化开关性能和热效率,同时提供出色的可靠性和耐用性。CSD17552Q3A 的封装形式为小外形晶体管封装(SOT),有助于节省电路板空间。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:19A
导通电阻(Rds(on)):2.4mΩ
栅极电荷:16nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装类型:SOT-23
CSD17552Q3A 具有非常低的导通电阻,这使其在高电流应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。此外,其快速的开关速度使得它适合高频开关应用,例如降压或升压转换器。该器件还具备良好的热稳定性和耐热能力,能够在高温环境下持续运行。
它的紧凑型 SOT-23 封装使其非常适合空间受限的设计,同时保持了较高的电气性能。由于采用了先进的硅技术,CSD17552Q3A 在动态和静态条件下均表现优异,可有效减少能量损耗并提高整体系统效率。
CSD17552Q3A 广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信领域。典型的应用场景包括:
- 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
- DC-DC 转换器的高端和低端开关
- 笔记本电脑和智能手机的电源管理模块
- LED 驱动器和电机控制
- 电池管理系统中的负载开关
由于其低导通电阻和高效率,该器件是需要高性能功率管理解决方案的理想选择。
CSD18502Q5A, CSD17570Q5A