CSD17551Q5A 是一款由德州仪器(TI)生产的 NexFET 功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其优化的封装设计和电气性能使其成为高性能功率转换的理想选择。
最大漏源电压:30V
最大连续漏电流:42A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:39nC
总热阻(结到壳):0.7°C/W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
CSD17551Q5A 提供了出色的导通电阻与栅极电荷比,确保了低损耗和高效运行。此外,它还具有快速开关能力,可降低开关损耗。
该器件采用了符合行业标准的小型封装,有助于简化 PCB 设计并减少整体解决方案尺寸。
其坚固的设计和广泛的温度范围适应性,使 CSD17551Q5A 非常适合各种恶劣环境下的应用。
该功率 MOSFET 广泛应用于笔记本电脑适配器、服务器电源、通信电源以及电动工具等设备中的功率转换和控制电路。此外,它还可用于电池管理系统(BMS)、电机驱动和 LED 照明领域。
CSD18541Q5A, CSD17560Q5A, IRF7843