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CSD17551Q5A 发布时间 时间:2025/5/6 21:05:53 查看 阅读:15

CSD17551Q5A 是一款由德州仪器(TI)生产的 NexFET 功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其优化的封装设计和电气性能使其成为高性能功率转换的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏电流:42A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:39nC
  总热阻(结到壳):0.7°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

CSD17551Q5A 提供了出色的导通电阻与栅极电荷比,确保了低损耗和高效运行。此外,它还具有快速开关能力,可降低开关损耗。
  该器件采用了符合行业标准的小型封装,有助于简化 PCB 设计并减少整体解决方案尺寸。
  其坚固的设计和广泛的温度范围适应性,使 CSD17551Q5A 非常适合各种恶劣环境下的应用。

应用

该功率 MOSFET 广泛应用于笔记本电脑适配器、服务器电源、通信电源以及电动工具等设备中的功率转换和控制电路。此外,它还可用于电池管理系统(BMS)、电机驱动和 LED 照明领域。

替代型号

CSD18541Q5A, CSD17560Q5A, IRF7843

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CSD17551Q5A参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.8 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1272pF @ 15V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-30612-6