时间：2025/7/19 3:05:39
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CSD17551Q3A是一款由德州仪器（TI）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺，具有高性能和可靠性。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关等需要高效功率开关的场合。CSD17551Q3A封装形式为小型化的3引脚WSON（Q3A）封装，便于在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.7A
导通电阻（RDS(on)）：12.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：WSON-3
CSD17551Q3A具有低导通电阻的特性，这使其在高电流应用中能够减少功率损耗并提高系统效率。该MOSFET采用了先进的封装技术，提供了优良的热管理和电气性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，CSD17551Q3A具有宽泛的工作温度范围，适用于各种严苛的工业环境。其栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的电路设计，并能在不同工作条件下保持良好的导通特性。
CSD17551Q3A常用于电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路以及各类工业自动化设备中的功率控制部分。其小型封装和高性能特性使其特别适用于便携式设备和空间受限的应用场景。
CSD17556Q3A，CSD17557Q3A
