时间：2025/5/6 20:48:17
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CSD17382F4 是一款由德州仪器 (TI) 生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于要求高效能、小尺寸和低功耗的应用场景。
这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域的电源管理解决方案中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池保护电路等。
类型：N沟道增强型 MOSFET
封装：SON-8
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：34A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
总栅极电荷：18nC
输入电容：1160pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
开关频率：支持高达数 MHz 的开关应用
CSD17382F4 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频开关应用，减少能量损失。
3. 高温工作能力，可在 -55°C 到 +175°C 的宽温度范围内稳定运行。
4. 小巧的 SON-8 封装设计节省了 PCB 空间，非常适合空间受限的设计。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
6. 提供优异的热性能，有助于改善散热表现，延长使用寿命。
7. 内部优化以实现较低的栅极电荷，从而提高整体开关效率。
CSD17382F4 在多个领域都有广泛的应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 用于 DC-DC 转换器的高端或低端开关。
3. 各类负载开关和电源分配模块。
4. 电池管理系统中的保护和切换元件。
5. 电机驱动和逆变器控制。
6. 工业自动化设备中的信号切换和隔离电路。
7. 便携式电子产品中的电源管理和节能方案。
CSD18506Q5A,CSD17571Q5A,CSD17379Q5A
