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CSD17313Q2T 发布时间 时间:2023/7/21 20:01:37 查看 阅读:666

产品概述

产品型号

CSD17313Q2T

描述

场效应管N-CH 30V 5A

分类

分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-单

制造商

德州仪器

系列

NexFET?

打包

切割带(CT)

零件状态

活性

工作温度

-55°C?150°C(TJ)

供应商设备包装

6 WSON(2x2)

包装/箱

6-WDFN裸焊盘

基本零件号

CSD173

产品图片

CSD17313Q2T

CSD17313Q2T

规格参数

制造商包装说明

WSON-6

符合REACH

符合欧盟RoHS

符合中国RoHS

状态

活性

场效应管类型

N通道

雪崩能量等级(Eas)

18.0兆焦耳

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(ID)

5.0安

最大电阻下的漏源

0.042欧姆

DS击穿电压-最小值

30.0伏

反馈上限(Crss)

17.0 pF

耗散功率(最大值)

2.4W(Ta),17W(Tc)

场效应管技术

MOSFET(金属氧化物)

JESD-30代码

S-PDSO-N6

JESD-609代码

e3

元素数

1.0

端子数

6

操作模式

增强模式

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

四方形

包装形式

小轮廓

极性/通道类型

N通道

脉冲漏极电流最大值(IDM)

57.0安

安装类型

表明贴装

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

无铅

终端位置

DUAL

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

特点

  • 针对5V栅极驱动进行了优化

  • 超低Q g和Q gd

  • 低热阻

  • 无铅

  • 符合RoHS

  • 无卤素

  • SON 2mm×2mm塑料封装

应用领域

  • DC-DC转换器

  • 电池和负载管理应用

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CSD17313Q2T

CSD17313Q2T参数

  • 现有数量26,593现货10,000Factory
  • 价格1 : ¥8.98000剪切带(CT)250 : ¥5.84952卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)3V,8V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 4A,8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)+10V,-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)340 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.4W(Ta),17W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-WSON(2x2)
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘