时间：2025/7/28 8:17:23
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CSD17309Q3 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 3mm x 3mm 的小型封装（SON 封装），具有低导通电阻和高功率密度的特点，适用于高效率电源转换器和负载开关等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：18A
最大漏源电压 (Vds)：20V
导通电阻 (Rds(on))：2.7mΩ @ Vgs = 4.5V
栅极电压 (Vgs)：±8V
功率耗散：3.2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：3mm x 3mm SON
CSD17309Q3 的主要优势在于其超低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其 2.7mΩ 的 Rds(on) 在 4.5V 的栅极驱动电压下表现优异，适用于同步整流、DC-DC 转换器以及电池管理系统等高频开关应用。
此外，该器件采用 SON 封装，具有优异的热性能和空间利用率，适合对尺寸和散热要求较高的设计。其小型封装也减少了 PCB 上的占位面积，有利于高密度布局。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定的性能。其 ±8V 的栅极电压耐受能力使其适用于多种栅极驱动电路设计，同时具备较高的抗过压和抗静电能力，提升了系统的可靠性。
CSD17309Q3 广泛应用于电源管理系统、同步整流电路、DC-DC 转换器、负载开关、服务器电源、笔记本电脑电源管理模块以及电池供电设备。其高效率和小尺寸特性使其成为现代高性能电源设计的理想选择。
SiS340DN, BSC010N04LS, CSD17325Q3
