时间：2025/5/6 20:52:50
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CSD17307Q5A 是一款由德州仪器 (TI) 生产的 N 通道增强型碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET。该器件采用了先进的 SiC 技术，具备卓越的开关性能和热效率，适用于高功率密度和高频应用场合。相比传统的硅基 MOSFET，CSD17307Q5A 提供了更低的导通电阻和更快的开关速度，同时还能在更高的温度下稳定运行。
这款芯片通常用于高效电源转换器、电机驱动器、太阳能逆变器和其他需要高性能功率管理的应用场景。
额定电压：1200V
额定电流：46A
Rds(on)：8mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：980pF
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-247-4
CSD17307Q5A 具有以下显著特性：
1. 使用 SiC 材料制造，具有出色的热稳定性和耐高温能力。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗。
3. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，适合高频应用。
4. 高度可靠的设计，支持长时间运行。
5. 支持高达 175°C 的工作结温，适应严苛的工作环境。
6. 提供优异的抗干扰能力和低电磁噪声输出。
7. 简化的电路设计，减少外部元件需求，从而降低系统成本。
这些特性使得 CSD17307Q5A 成为现代高效功率转换的理想选择。
CSD17307Q5A 广泛应用于以下领域：
1. 工业级 DC/DC 和 AC/DC 转换器。
2. 太阳能光伏逆变器及储能系统。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器与电机驱动器。
4. 高效不间断电源 (UPS) 系统。
5. 固态继电器和固态断路器。
6. 高频软开关拓扑结构，如 LLC 和相移全桥。
其高效率和可靠性使其成为众多高功率应用中的首选解决方案。
CSD18502KCS, CSD18572Q5A
