时间：2025/5/6 17:07:40
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CSD17304Q3 是一款由德州仪器（TI）推出的 N 沛 MOSFET，采用先进的技术制造，专为高效率功率转换和开关应用而设计。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
这种 MOSFET 的主要特点是其优化的栅极电荷性能和低反向恢复电荷，使其能够减少开关损耗并提高整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：6nC
反向恢复电荷：18nC
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
CSD17304Q3 的低导通电阻可以显著降低传导损耗，从而提高系统效率。此外，其优化的栅极驱动特性和快速的开关速度也使其非常适合高频应用。
该器件还具有出色的热稳定性和可靠性，在严苛的工作条件下也能保持稳定的性能表现。另外，其封装形式（通常为小尺寸 QFN 封装）有助于节省 PCB 空间，同时改善散热性能。
CSD17304Q3 广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，包括但不限于：
- 同步降压转换器
- 笔记本电脑和服务器电源
- 工业电机驱动
- 汽车电子系统中的负载开关
- 可再生能源设备中的 DC/DC 转换模块
它在这些应用中提供了优异的效率和可靠性，同时降低了系统的总体成本。
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