CSD16412Q5A 时间：2025/5/6 18:12:37 阅读：16

CSD16412Q5A 是一款由德州仪器（TI）生产的 N 没有极场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于需要高效能功率转换的应用场合，例如电机驱动、DC-DC 转换器、负载开关和电源管理电路等。该 MOSFET 采用了 QFN 封装，有助于提高散热性能并节省印刷电路板的空间。
　　这款器件的工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源电压，同时具备优异的热稳定性和可靠性，适合在各种恶劣环境下工作。

参数

类型：N沟道增强型 MOSFET
　　封装：QFN (5x6mm)
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：97A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷（Qg）：88nC（典型值）
　　开关时间：ton=11ns，toff=19ns（典型值）
　　功耗：取决于具体应用条件
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

CSD16412Q5A 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
　　2. 高电流承载能力，支持高达 97A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关特性，减少了开关损耗，适合高频应用。
　　4. 紧凑的 QFN 封装设计，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
　　5. 宽泛的工作电压范围，能够适应多种电路需求。
　　6. 符合汽车级标准，能够在极端温度范围内保持稳定运行。
　　7. 提供了优异的 ESD 和浪涌保护功能，增强了器件的鲁棒性。
　　这些特性使得 CSD16412Q5A 成为高效率、高密度功率转换应用的理想选择。

应用

CSD16412Q5A 广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子：如电动助力转向系统（EPS）、制动系统、空调压缩机等。
　　2. 工业自动化：用于伺服驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）等设备。
　　3. 通信设备：适用于基站功率放大器、电信电源模块。
　　4. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、游戏机电源等。
　　5. LED 照明：用于驱动大功率 LED 灯具。
　　由于其高性能和可靠性，CSD16412Q5A 在许多对效率和空间要求严格的场景中表现出色。