时间：2025/5/6 20:58:51
阅读：11
CSD16327Q3是来自德州仪器（TI）的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的制程工艺制造，适用于需要高效率和低损耗的应用场景。该器件主要面向消费电子、工业控制以及通信设备等领域，能够提供出色的导通电阻性能和开关特性。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：48A
导通电阻（Rds(on)）：0.95mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：37nC（典型值）
总电容（Ciss）：3240pF（典型值）
功耗：250W
工作结温范围：-55℃至175℃
CSD16327Q3具有非常低的导通电阻，这使其在高频开关应用中表现出色，同时减少了导通损耗。
该器件采用了高效的封装设计，有助于散热并提升整体系统效率。
其坚固的设计和宽广的工作温度范围使其适合多种恶劣环境下的应用。
CSD16327Q3还具备快速的开关速度和较低的栅极电荷，从而优化了动态性能并降低了开关损耗。
此外，它的高电流承载能力使它成为大功率转换器和电机驱动的理想选择。
CSD16327Q3广泛应用于直流-直流转换器、负载点（POL）转换、服务器电源、电信整流模块、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
由于其卓越的电气特性和热性能，该器件也常用于高性能电机驱动和电池管理系统。
此外，它还被用在电动工具、家用电器以及汽车电子中的各种功率管理电路中。
CSD16340Q5A, CSD18508Q5A, CSD19507Q5A
