时间：2025/12/28 16:22:21
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CSD04060E 是一款由 TI（德州仪器）推出的高性能、低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和高功率密度的场合。该器件采用先进的功率沟槽技术，提供了优异的热性能和电流处理能力。其封装形式为 8-PowerTSSOP，适用于各种电源管理和功率转换应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：15A（在 25°C）
导通电阻（Rds(on)）：4.6mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：16nC（典型值）
输入电容（Ciss）：720pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8-PowerTSSOP
CSD04060E 具备低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。该器件采用了 TI 的先进功率沟槽技术，确保了在高频率开关操作中的稳定性能。此外，其 8-PowerTSSOP 封装提供了良好的热管理能力，有助于快速散热，延长器件的使用寿命。
该 MOSFET 支持较高的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于各种严苛环境条件下的应用。栅极电荷较低（Qg 为 16nC）有助于降低开关损耗，提高系统的整体效率。
除了电性能，CSD04060E 还具有较高的可靠性和耐用性，能够在各种工业和汽车应用中稳定运行。其输入电容较小（720pF），使得器件在高频应用中表现优异，适用于 DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等场景。
CSD04060E 主要应用于高效率电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。此外，它也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、服务器电源、电动车（EV）充电设备等需要高功率密度和高效率的场景。
CSD16325Q3, CSD16406Q3, CSD16408Q5
