您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CSD04060A

CSD04060A 发布时间 时间:2025/9/11 8:11:32 查看 阅读:30

CSD04060A是一款由德州仪器(Texas Instruments,简称TI)推出的N沟道功率MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能功率转换应用而设计。该器件采用先进的硅技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高频开关应用。CSD04060A的封装形式通常为小型化的表面贴装封装,有助于节省PCB空间并提高系统集成度。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):60A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):1.7mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):120W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:PowerPAK SO-8

特性

CSD04060A具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下的低导通损耗,从而提高了整体系统的效率。此外,该器件在40V的漏源电压下具有出色的击穿电压稳定性,使其适用于中等功率的DC-DC转换器和负载开关应用。
  器件的栅极驱动电压范围宽广,支持+10V至+20V的Vgs电压,便于与各种栅极驱动器兼容。其封装设计优化了热管理性能,使器件能够在高负载条件下保持较低的结温,从而提升长期工作的可靠性和稳定性。
  另外,CSD04060A的开关性能优异,具有快速的上升和下降时间,适用于高频开关操作。其低栅极电荷(Qg)减少了驱动损耗,使得在高频应用中仍能保持较高的效率。由于采用了TI的先进硅工艺技术,该MOSFET在导通和关断状态之间的切换更加平滑,降低了开关过程中的能量损耗。
  此外,该器件具有良好的短路耐受能力,在异常工作条件下也能提供一定的保护作用。其设计符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于环保要求较高的工业和消费类电子产品。

应用

CSD04060A广泛应用于需要高效率、高电流和高频操作的功率电子系统中。典型的应用包括同步整流的AC-DC电源适配器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制电路。
  在同步整流应用中,CSD04060A可作为主整流器或同步整流开关,取代传统二极管以减少导通损耗,提高转换效率。在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于高频开关操作,以实现紧凑的电源设计和更高的能量转换效率。
  此外,该器件也适用于大电流负载开关,如服务器、通信设备和高性能计算平台中的电源管理模块。由于其高电流能力和低导通电阻,CSD04060A能够在负载突变的情况下提供快速响应,确保系统运行的稳定性和可靠性。
  在电机控制应用中,CSD04060A可作为H桥电路中的功率开关,用于控制直流电机或步进电机的正反转和速度调节。其优异的热性能和高可靠性使其在高温环境下仍能保持稳定运行。

替代型号

SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, CSD16325Q3, CSD16406Q3

CSD04060A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CSD04060A参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)7A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.8V @ 4A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)0ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F220pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商设备封装TO-220-2
  • 包装管件