CSC2313 时间：2025/8/2 2:24:42 阅读：19

CSC2313 是一款由长安半导体（CSC）推出的高性能、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备等领域。该器件采用先进的沟槽工艺技术制造，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的电流承载能力，能够在较高的开关频率下工作，从而提高系统效率并减小外部元件尺寸。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：60A
　　导通电阻(RDS(on))：最大7.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CSC2313 MOSFET采用先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。
　　该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为60A，适用于高功率密度设计的应用场景。
　　其导通电阻在VGS=10V时最大仅为7.5mΩ，使得在大电流条件下也能保持较低的功耗，减少发热，提高系统稳定性。
　　CSC2313具备良好的热稳定性和抗冲击能力，适用于各种恶劣工作环境。
　　该MOSFET支持高达±20V的栅极电压，增强了其在不同驱动条件下的适应性。
　　封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。

应用

CSC2313因其优异的电气性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。
　　在电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器等，用于提高转换效率和功率密度。
　　在工业自动化控制设备中，可用于电机驱动电路，提供高效的开关控制。
　　在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等，作为负载开关或功率控制元件，以延长电池续航时间。
　　此外，CSC2313也适用于LED照明驱动、充电器、逆变器等高效率电源应用。
　　由于其良好的散热性能和紧凑的封装，也适用于空间受限的高密度电路设计。