CS90N03是一款N沟道功率MOSFET,广泛用于各种电源管理和功率控制应用。该器件采用先进的工艺技术,具有低导通电阻、高效率和优良的热性能,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等场景。CS90N03封装形式多样,常见的包括TO-220、DPAK和SO-8等,便于在不同设计中灵活使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):90A
最大漏源电压(VDS):30V
导通电阻(RDS(on)):约2.8mΩ(典型值,取决于具体型号和制造工艺)
栅极电压(VGS):±20V
最大功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
CS90N03的主要特性包括低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其能够应对高功率应用中的严苛要求,同时具备较低的开关损耗,适合高频工作环境。CS90N03还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,减少了散热器或冷却系统的依赖。此外,该MOSFET具备较高的耐用性和抗干扰能力,适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
在封装方面,CS90N03提供多种选择,例如TO-220、DPAK和SO-8等,方便用户根据电路设计需求进行选型。TO-220封装适用于需要良好散热性能的高功率应用,而DPAK和SO-8等表面贴装封装则适合于空间受限的设计,同时具备较好的自动化生产兼容性。
CS90N03的栅极驱动特性也较为优异,能够在较低的栅极电压下实现充分导通,降低驱动电路的复杂度和成本。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高整体能效。此外,该MOSFET具备良好的短路耐受能力,能够在突发的过载或短路情况下保持稳定运行。
CS90N03适用于多种电源管理场景,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。在汽车电子领域,它可用于车载充电系统、起停系统和电动助力转向系统等。在工业控制中,CS90N03可应用于变频器、伺服驱动器和UPS不间断电源系统。此外,它还可用于消费类电子产品,如笔记本电脑、智能电源适配器和智能家居设备中的电源管理模块。
Si9410BDY-T1-GE3, IRF9540N, STP90NF03L, FDP90N03S