时间：2025/8/1 16:08:45
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CS8N80F是一款由COSMO SEMICONDUCTOR公司生产的80V N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。CS8N80F通常用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统等应用中。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于多种工业标准电路板布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.38Ω
功耗（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
CS8N80F采用了先进的平面硅工艺技术，具有出色的性能和可靠性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中更小的功率损耗，从而提高系统效率。该MOSFET具有较高的开关速度，使得在高频应用中表现出色，同时降低了开关损耗。
CS8N80F的栅极驱动电压范围宽广，支持逻辑电平驱动，适合与多种控制IC配合使用。此外，该器件具备良好的热稳定性和过热保护能力，可在高温环境下稳定工作。TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该MOSFET还具备高抗浪涌电流能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。其耐压能力优异，适用于各种电源管理和功率转换系统。
CS8N80F广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于LED照明驱动电路、智能电表以及消费类电子产品中的电源管理模块。
IRF540N, FQP8N80C, STF8NM80
