CS8N60A8H 时间：2025/8/2 2:23:43 阅读：16

CS8N60A8H是一款高压、高电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率应用设计。该器件基于先进的高压MOSFET工艺制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于电源转换、电机控制、逆变器、DC-DC转换器等领域。CS8N60A8H采用TO-220封装，具备良好的热管理和散热能力，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：600V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.75Ω
　　阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　漏极-源极击穿电压(BVdss)：600V
　　最大功耗(Pd)：50W

特性

CS8N60A8H具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其600V的漏极-源极电压能力使其适用于高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）和PFC（功率因数校正）电路。
　　其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.75Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，CS8N60A8H具备良好的开关性能，快速的导通和关断响应时间有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V输入，提高了驱动电路的兼容性。
　　TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高电流和高功率应用中保持稳定的工作温度。
　　CS8N60A8H还具备较高的耐用性和可靠性，能够在恶劣环境中长时间运行。

应用

CS8N60A8H广泛应用于需要高压和高电流能力的电力电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、LED照明驱动电源以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其高压特性和优异的导通性能，CS8N60A8H也非常适合用于功率因数校正（PFC）电路，以提高电源系统的效率并满足能效标准。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，CS8N60A8H也可作为核心功率开关元件，发挥稳定可靠的性能。