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CS7N65 发布时间 时间:2025/8/1 22:35:46 查看 阅读:17

CS7N65是一款由华润微电子(CR Micro)推出的高性能高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用了先进的平面工艺技术,具有高耐压、低导通电阻和高可靠性的特点,适用于中高功率等级的电子系统。CS7N65的工作电压可达650V,适合用于各种高效率、高稳定性的电源设计中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):7A(在25℃)
  功耗(Pd):62W
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.2Ω
  封装形式:TO-220/TO-252
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

CS7N65采用了先进的平面工艺技术,具有出色的热稳定性和电气性能。其高耐压能力达到650V,使得该器件在高压电源系统中表现出色,能够承受较高的电压应力而不发生击穿。器件的导通电阻Rds(on)典型值为1.2Ω,降低了导通损耗,提高了整体效率。此外,CS7N65具有良好的热阻特性,能够有效地将热量传导至散热器,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  该MOSFET还具备较强的抗浪涌电流能力,能够在短时间内承受超过额定电流的冲击,适用于一些负载变化较大的应用场景。其封装形式为TO-220或TO-252,这两种封装都具有良好的机械强度和散热性能,便于在各种电路板上安装和使用。CS7N65的栅极驱动电压范围为±20V,确保在不同驱动条件下都能稳定工作,并具有一定的过压保护能力。
  另外,CS7N65在制造过程中采用了高纯度的硅材料和先进的钝化工艺,确保其在高温和高湿环境下依然保持良好的电气性能和可靠性。这些特性使得CS7N65非常适合用于工业电源、UPS系统、光伏逆变器、电机控制模块等对稳定性和效率要求较高的应用中。

应用

CS7N65广泛应用于各类电力电子设备中,如开关电源适配器、AC-DC转换器、DC-DC变换器、逆变器、LED驱动电源、电机驱动电路、工业自动化控制系统等。由于其高耐压和低导通电阻的特性,特别适用于需要高效能和高稳定性的中高功率电源系统。例如,在光伏逆变器中,CS7N65可以作为主开关器件,将直流电转换为交流电,实现能源的有效转换;在电机控制电路中,它可以作为功率开关,控制电机的启停和调速,提升系统的响应速度和运行效率;在电源适配器中,该器件可用于实现高效的能量转换,减小电源体积并提高整体能效。

替代型号

STP7NK60Z, FQP7N60, IRF7N60, FQA7N60

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