CS7N60FA9R是一款由COSMO SEMICONDUCTOR制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率、高频率的电源转换和开关应用。该器件采用先进的封装技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),以提高效率并减少热量生成。CS7N60FA9R适用于各种电源管理场景,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关电路。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds):600V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7A
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
导通电阻(Rds(on)):约0.85Ω(典型值)
功率耗散(Pd):50W
晶体管配置:单N沟道
CS7N60FA9R具备优异的电气性能和热稳定性,适合高功率应用。其低导通电阻特性可降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有较高的雪崩耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。其封装设计优化了散热性能,确保在高负载环境下也能维持较低的温度上升。CS7N60FA9R的栅极驱动要求较低,兼容常见的驱动电路,提高了其在各类电源系统中的适应性。
该器件还具备出色的高频开关性能,适用于高频率工作的电源拓扑结构,如谐振变换器和同步整流器。其快速的开关速度可减少开关损耗,同时降低电磁干扰(EMI)的影响。由于其良好的动态响应和稳定性,CS7N60FA9R常用于高效能的电源转换系统中,如LED驱动器、工业电源和新能源设备中。此外,其坚固的结构和良好的可靠性使其适用于严苛的工作环境,满足工业级和消费级电子设备的需求。
CS7N60FA9R广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、LED照明驱动器、电池充电器、逆变器以及电机控制器。该器件也常用于需要高效能功率开关的工业自动化设备、家用电器和消费类电子产品。在电动汽车充电系统、太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统中,CS7N60FA9R同样具有广泛的应用价值。
CS7N65FA9R, CS6N60FA9R, FQP7N60C