时间：2025/7/1 1:20:26
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CS75N75B8H是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能，能够有效提升系统效率并降低功耗。
CS75N75B8H属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，适合自动化生产和紧凑型设计需求。该器件在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的抗电磁干扰能力。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：135nC
输入电容：3540pF
工作温度范围：-55℃至150℃
CS75N75B8H的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，适合高频开关电路。
4. 优异的热稳定性，确保在极端温度条件下的可靠运行。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
CS75N75B8H适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 工业设备中的电机驱动与控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理。
5. 高效DC-DC转换器设计。
6. 各类电池管理系统中的保护电路。
IRF7849PbF, FDP75N8L
