型号：CS75FTKR050
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：75V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：75A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：300A
　　导通电阻(RDS(on))：5.0mΩ @ VGS=10V, ID=37.5A
　　导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=37.5A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约4800pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：约1100pF @ VDS=25V
　　反向传输电容(Crss)：约290pF @ VDS=25V
　　二极管正向电压(VSD)：1.2V @ IS=75A
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +175℃
　　封装：TO-252(DPAK)
　　安装方式：通孔或表面贴装

CS75FTKR050采用先进的沟槽型MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其核心优势在于5.0mΩ的超低RDS(on)，在高电流应用中显著降低导通损耗，提升整体系统效率。例如，在同步整流或大电流DC-DC变换器中，这种低电阻特性可以有效减少发热，延长器件寿命并简化散热设计。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为75nC（@VGS=10V），有助于实现快速开关动作，降低开关损耗，特别适合高频工作环境下的应用需求。同时，其输入电容和反向传输电容经过优化，能够减少驱动电路的负担，提高系统的响应速度和稳定性。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于TO-252封装结构中的金属片裸露设计，可通过PCB大面积敷铜实现高效散热。在实际应用中，即使在持续高负载条件下，也能保持较低的工作温度，从而确保长期可靠性。此外，CS75FTKR050具有较强的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在瞬态过压或短路事件中提供一定的耐受能力，增强了系统的安全性和健壮性。其阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容常见的逻辑电平驱动信号，支持3.3V、5V及10V驱动条件下的可靠开启，适应性强。
　　由于采用了无铅、无卤素的环保材料制造，CS75FTKR050符合国际环保法规要求，适用于出口型电子产品。同时，该器件通过了严格的质量认证流程，批次一致性好，适合自动化贴片生产，提升了制造效率。总体而言，CS75FTKR050是一款综合性能优越的中压N沟道MOSFET，兼顾了低损耗、高可靠性与易用性，是现代电源管理系统中的理想选择之一。

CS75FTKR050广泛应用于各类需要高效能功率开关的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是大电流输出的AC-DC和DC-DC转换器，其中作为主开关管或同步整流管使用，可显著提高转换效率并减小体积。在电动工具、无人机、电动自行车等便携式动力设备中，该器件常用于H桥电机驱动电路，承担高速切换任务，实现精确的速度与方向控制。此外，在服务器电源、通信电源模块以及工业电源系统中，CS75FTKR050也因其高电流承载能力和良好热稳定性而被广泛采用。
　　在电池管理系统（BMS）和储能逆变器中，CS75FTKR050可用于电池充放电回路的通断控制，作为理想二极管替代方案或主动保护开关，防止反向电流和过流风险。其低导通电阻特性在大电流放电路径中尤为重要，能有效减少能量损耗，提升续航能力。同时，该器件适用于热插拔电路和负载开关设计，可在上电瞬间限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。在LED驱动电源、大功率照明系统中，也可作为恒流调节开关元件，确保光输出稳定。
　　由于其良好的高频响应特性和较低的栅极驱动需求，CS75FTKR050还适合用于谐振变换器、LLC拓扑及数字电源设计中。在新能源汽车车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块中，虽然主要高压部分采用SiC器件，但在低压辅助电源部分仍可采用此类高性能硅基MOSFET进行功率处理。综上所述，CS75FTKR050凭借其出色的电气性能和封装优势，已成为多个领域中主流的功率开关解决方案之一。

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　　 "AOTF27L60L",
　　 "SGM3127",
　　 "SISS800DN-T1-GE3",
　　 "IRF1404ZPBF",
　　 "UPA2710H"
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