时间：2025/5/22 10:29:27
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CS70N30ANR 是一款 N 沣道通态场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其高效率和低损耗特性使得它在功率管理领域表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：38nC（典型值）
输入电容：2550pF（典型值）
功耗：16.8W（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
CS70N30ANR 的主要特性包括以下几点：
1. 高电流承载能力，支持高达 70A 的连续漏极电流。
2. 极低的导通电阻（4.5mΩ 典型值），能够有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能，栅极电荷较小（38nC 典型值），适用于高频应用。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下的可靠性。
5. TO-252 封装形式，便于安装和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
CS70N30ANR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
7. 汽车电子中的大电流负载控制。
IRFZ44N, STP70NF30L, FDP70N30E
