类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：900V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：6A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.5Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220

CS6N90FA9R具有多项优异性能，首先是其高达900V的漏源电压，使其适用于高压环境下的功率控制应用。该MOSFET采用了先进的工艺制造，具有良好的热稳定性和耐久性，在高负载工作条件下仍能保持稳定运行。
　　其次，CS6N90FA9R的导通电阻较低，典型值为1.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。这在需要高能效的开关电源、适配器或电池充电器等应用中尤为重要。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的输入，提高了设计的灵活性。CS6N90FA9R的TO-220封装形式不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，适合需要长时间高负荷运行的应用场景。
　　在可靠性方面，CS6N90FA9R具有良好的抗静电能力和过温保护性能，能够在严苛的工业环境中稳定运行。

CS6N90FA9R广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要高压、高效率和高稳定性的场合。例如，该器件常用于开关电源（SMPS）中的主开关管，适用于反激式、正激式或半桥拓扑结构，具有良好的转换效率和稳定性。
　　在工业控制领域，CS6N90FA9R可用于电机驱动、继电器控制和负载开关电路，其高耐压和低导通电阻的特性有助于提升系统的响应速度和能效。
　　此外，该MOSFET也适用于LED照明驱动、电池充电器和家用电器等消费类电子产品中，为这些设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
　　在新能源领域，CS6N90FA9R也可用于太阳能逆变器、风力发电控制器等设备中，满足高压、高可靠性的设计需求。

STP6NK90ZFP, FQA6N90C, IRF840