CS6N70A4RG是一款由华润微电子(CR Micro)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力以及良好的热稳定性和高频开关性能。CS6N70A4RG主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动、电池管理系统(BMS)等应用中,适用于需要高效能和高可靠性的电子产品设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):700V
最大漏极电流(ID):6A
导通电阻(RDS(on)):典型值为1.8Ω(在VGS=10V条件下)
栅极电压范围(VGS):-30V至+30V
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
功率耗散(PD):50W
CS6N70A4RG具备一系列高性能特性,首先其采用了先进的沟槽栅技术,有效降低了导通电阻,从而提高了器件的导电效率并降低了功耗。由于其RDS(on)较低,该MOSFET在导通状态下的损耗较小,有助于提升系统的整体效率。
其次,CS6N70A4RG具有较高的耐压能力,其最大漏源电压(VDS)达到700V,能够满足高压应用场合的需求,同时其栅极电压范围较宽,可在-30V至+30V之间工作,提升了其在不同驱动条件下的适用性。
此外,该器件的封装形式为TO-252(DPAK),这种封装不仅具有良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,便于在PCB上安装和集成,适用于自动化生产流程。
CS6N70A4RG还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,工作温度范围可达-55°C至+150°C,适应性强,适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
最后,该MOSFET的功率耗散为50W,能够在高功率负载下保持良好的性能,适合用于高效率电源转换和负载管理应用。
CS6N70A4RG广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:电源管理模块,如AC-DC适配器、DC-DC转换器、电源供应器等,用于实现高效的电能转换;工业自动化设备中的电机驱动和开关控制;新能源系统,如光伏逆变器、储能系统中的电池管理系统(BMS);汽车电子系统,如车载充电器、电动工具、车身控制系统等;以及消费类电子产品中的负载开关和电源管理单元。
SiHF70N65E5, FQP7N60C, STF7NM65N