类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：700V
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.8Ω（在VGS=10V条件下）
　　栅极电压范围（VGS）：-30V至+30V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（PD）：50W

CS6N70A4RG具备一系列高性能特性，首先其采用了先进的沟槽栅技术，有效降低了导通电阻，从而提高了器件的导电效率并降低了功耗。由于其RDS(on)较低，该MOSFET在导通状态下的损耗较小，有助于提升系统的整体效率。
　　其次，CS6N70A4RG具有较高的耐压能力，其最大漏源电压（VDS）达到700V，能够满足高压应用场合的需求，同时其栅极电压范围较宽，可在-30V至+30V之间工作，提升了其在不同驱动条件下的适用性。
　　此外，该器件的封装形式为TO-252（DPAK），这种封装不仅具有良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于在PCB上安装和集成，适用于自动化生产流程。
　　CS6N70A4RG还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，工作温度范围可达-55°C至+150°C，适应性强，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
　　最后，该MOSFET的功率耗散为50W，能够在高功率负载下保持良好的性能，适合用于高效率电源转换和负载管理应用。

CS6N70A4RG广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：电源管理模块，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、电源供应器等，用于实现高效的电能转换；工业自动化设备中的电机驱动和开关控制；新能源系统，如光伏逆变器、储能系统中的电池管理系统（BMS）；汽车电子系统，如车载充电器、电动工具、车身控制系统等；以及消费类电子产品中的负载开关和电源管理单元。

SiHF70N65E5, FQP7N60C, STF7NM65N