时间：2025/8/1 12:52:43
阅读：9
CS6N60FA9HD是一款由COSMO（科索）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的应用场合。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备较高的导通性能和较低的导通损耗，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种开关电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：6A（连续）
功耗(Pd)：83W
导通电阻(Rds(on))：典型值为1.5Ω（最大值为2.0Ω）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
CS6N60FA9HD具备优异的导通性能和开关性能，适用于中高功率的电源转换系统。
该器件采用先进的平面工艺制造，确保了在高温和高电压条件下的稳定运行。
其低导通电阻特性有助于降低导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。
该MOSFET支持较高的栅源电压（±30V），增强了在复杂工作环境下的抗干扰能力。
具有良好的热稳定性和过载能力，适合用于高可靠性要求的应用场景。
封装形式为TO-252（DPAK），体积小巧，便于安装在PCB上，适用于自动化生产流程。
该型号还具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于工业控制、家电、照明电源等应用领域。
CS6N60FA9HD广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC升压/降压转换器
? AC-DC电源适配器
? 电机控制与驱动电路
? LED照明驱动电源
? 家用电器电源系统
? 工业自动化与控制系统
? 充电器与电池管理系统
FQP6N60C、IRF640N、STP6NA60Z、2SK2545
