时间：2025/8/4 18:44:10
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CS6N120FA9R-G 是一款由华润华晶微电子（无锡）有限公司（ChipSun）推出的高电压、高频率功率开关器件，属于超级结（Super Junction）MOSFET系列。该器件专为高效率电源转换应用而设计，适用于如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、照明电源以及工业控制设备等需要高耐压和低导通损耗的场合。CS6N120FA9R-G 采用先进的沟槽工艺技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，能够在高电压条件下提供卓越的性能。
类型：N沟道超级结MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6A（@Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：24A
导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
功率耗散（Pd）：50W
CS6N120FA9R-G 是一款具有卓越性能的超级结MOSFET，其核心特性在于其高耐压和低导通电阻的结合，使其在高电压应用中表现出色。该器件采用先进的沟槽式超级结结构，显著降低了导通损耗，同时提升了器件的开关速度，从而减少了开关损耗。这种特性使得CS6N120FA9R-G 在高频开关应用中尤为适用，能够有效提高电源系统的效率。
此外，CS6N120FA9R-G 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合在高功率密度的设计中使用。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。
CS6N120FA9R-G 适用于多种高电压、高频率的电源转换应用。常见的应用包括开关电源（SMPS）、离线式AC-DC转换器、DC-DC转换器、太阳能逆变器、电机驱动器、LED照明电源、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。在这些应用中，CS6N120FA9R-G 能够提供高效率、高可靠性和优异的热管理性能，满足现代电源系统对小型化、高效率和稳定性的需求。此外，由于其具备较低的导通电阻和快速的开关特性，该器件也常用于高频谐振转换器和软开关拓扑结构中，以进一步降低开关损耗并提升整体系统效率。
STF12NM60N, FQA12N60C, IXFH12N60P
