时间：2025/5/27 18:03:54
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CS65N25ANR-N是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用N沟道增强型技术设计。该器件主要适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
该型号属于超低导通电阻系列，专为要求高效能和高可靠性的应用而设计，其封装形式为TO-252(DPAK)，具备良好的散热性能和紧凑的设计，便于在各种电路中进行集成。
最大漏源电压(Vds)：65V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：3.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：7nC（典型值）
总功耗(Ptot)：1.4W
工作温度范围(Ta)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-252(DPAK)
CS65N25ANR-N的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 具备出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
5. 封装紧凑，便于PCB布局和安装，同时提供优良的散热性能。
6. 符合RoHS标准，满足环保要求。
CS65N25ANR-N广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 各类DC-DC转换器设计，如降压或升压转换器。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
6. 汽车电子中的各种功率管理模块。
CS65N25ANR-P, IRFZ44N, FDP25N65
