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CS65N25ANR-N 发布时间 时间:2025/5/27 18:03:54 查看 阅读:16

CS65N25ANR-N是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型技术设计。该器件主要适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  该型号属于超低导通电阻系列,专为要求高效能和高可靠性的应用而设计,其封装形式为TO-252(DPAK),具备良好的散热性能和紧凑的设计,便于在各种电路中进行集成。

参数

最大漏源电压(Vds):65V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):7nC(典型值)
  总功耗(Ptot):1.4W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

CS65N25ANR-N的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 具备出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
  5. 封装紧凑,便于PCB布局和安装,同时提供优良的散热性能。
  6. 符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

CS65N25ANR-N广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 各类DC-DC转换器设计,如降压或升压转换器。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池管理系统的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  6. 汽车电子中的各种功率管理模块。

替代型号

CS65N25ANR-P, IRFZ44N, FDP25N65

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