时间：2025/8/1 23:44:16
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CS64N90是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及快速开关特性。CS64N90通常应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理、负载开关和各种功率调节系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
漏极电流（ID）：64A（在TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.19Ω（最大值0.23Ω）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247、TO-263（D2PAK）等
CS64N90具有多个关键特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。其次，高达900V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于高压直流和交流电源应用。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，能够在高温环境下稳定运行。CS64N90的快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统响应速度和效率。此外，该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。
在封装方面，CS64N90常见的封装形式包括TO-247和TO-263（D2PAK），这些封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。TO-247封装适用于需要较高散热能力的工业级应用，而TO-263封装则适用于表面贴装（SMT）设计，便于自动化生产。
CS64N90的栅极驱动电压范围较宽，一般在10V至20V之间，能够适应不同的驱动电路设计需求。此外，该器件具有良好的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定运行。
CS64N90适用于多种高压功率电子系统。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明电源、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和风能转换系统）。在开关电源中，CS64N90用于主开关或同步整流器，提高电源效率和可靠性。在电机控制应用中，该MOSFET用于H桥驱动电路，实现电机的正反转和调速控制。此外，CS64N90还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，确保电池组的安全运行。
在新能源领域，CS64N90可用于光伏逆变器中的DC-AC转换电路，实现太阳能电池板输出的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。在电动汽车充电系统中，该器件可用于车载充电器（OBC）或DC-DC变换器，提供高效、稳定的功率转换。
STF64N90Z, FCP64N90, IPW64N90CFD, FDPF64N90
