型号：CS64N80
　　封装：TO-220F/TO-220FP
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：800V
　　连续漏极电流ID（@TC=25℃）：6.4A
　　脉冲漏极电流IDM：25.6A
　　最大导通电阻RDS(on)：0.78Ω（@VGS=10V）
　　栅源电压VGS：±30V
　　功耗PD：50W
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容Ciss：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：160pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间trr：45ns
　　栅极电荷Qg：35nC（@VDS=800V, ID=3.2A）
　　开启延迟时间td(on)：15ns
　　关断延迟时间td(off)：45ns

CS64N80的核心优势在于其采用了超级结（Super Junction）结构设计，这一技术通过交替排列的P型和N型柱状区域来显著降低器件的导通电阻，同时维持高耐压能力。相比传统的平面型或沟槽型MOSFET，超级结结构可以在相同硅片面积下实现更低的RDS(on)，从而有效减少导通损耗，提升电源系统的整体效率。尤其是在PFC电路和LLC谐振变换器中，这种低损耗特性能够明显降低温升，延长系统寿命。
　　该器件具备出色的开关性能，其栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）均经过优化，使得在高频工作条件下仍能保持较低的驱动损耗和开关损耗。这对于追求小型化和高功率密度的现代电源设计至关重要。例如，在65W以上的快充适配器或工业电源中，使用CS64N80可以有效减少散热器尺寸甚至实现无风扇设计。
　　CS64N80还具有良好的热稳定性，其导通电阻随温度变化的非线性较小，在高温环境下仍能保持稳定的电流承载能力。这得益于材料工艺和结构设计的协同优化，避免了传统MOSFET在高温下出现的“热失控”风险。此外，器件具备较高的雪崩能量承受能力（EAS），能够在瞬态过压或负载突变情况下提供更强的鲁棒性，提高系统可靠性。
　　从制造工艺角度看，CS64N80基于华润微电子成熟的高压BCD或超级结制程平台生产，确保了批次一致性与长期供货能力。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于自动化贴片生产线。其封装形式带有绝缘片安装孔，可用于需要电气隔离的应用场合，如大功率LED驱动或工业控制设备。
　　总体而言，CS64N80在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中高端电源应用中理想的功率开关器件选择之一。

CS64N80广泛应用于各类高效率、高电压的电力电子系统中，尤其适用于需要800V耐压等级的离线式开关电源设计。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS），特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和双管正激拓扑中作为主开关管使用；在有源功率因数校正（PFC）电路中担任升压开关，帮助实现>0.99的功率因数和低总谐波失真（THD），满足能源之星和IEC 61000-3-2等国际能效标准。
　　在LED照明领域，CS64N80常用于中大功率恒流驱动电源，特别是户外路灯、隧道灯、工矿灯等对可靠性和寿命要求较高的场合。其低导通电阻和高耐压能力可有效提升驱动效率并降低发热，配合良好的散热设计可实现长时间稳定运行。
　　此外，该器件也适用于AC-DC适配器和充电器，尤其是65W至200W范围内的笔记本电脑电源、服务器辅助电源和通信设备供电单元。在这些应用中，CS64N80能够支持连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CRM）PFC段的工作需求。
　　在新能源领域，CS64N80还可用于小型光伏逆变器的DC-DC升压环节，或作为辅助电源的高压侧开关。由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，也可应用于工业电机驱动、智能电表电源模块及高压偏置电源等场景。
　　随着国产化替代进程加快，CS64N80因其稳定的质量和本地化服务支持，正在逐步取代部分进口品牌如英飞凌CoolMOS C系列、意法半导体STL系列或安森美FCH系列器件，成为国内电源企业的重要选型方案之一。

CSA64N80
　　SJD64N80
　　APT64N80