类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：11A
　　功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220-3
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω
　　栅极电荷(Qg)：典型值45nC
　　输入电容(Ciss)：典型值1000pF

CS5N65FA9HD具有优异的性能特点，首先是高耐压能力，其漏源电压可达到650V，使得该器件在高压环境下依然能够稳定运行。此外，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
　　其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值为45nC，能够实现快速开关操作，从而减少开关损耗。这对于高频开关应用尤为重要，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。同时，其输入电容（Ciss）为1000pF，有助于降低高频噪声干扰。
　　CS5N65FA9HD采用TO-220-3封装形式，具备良好的散热性能，能够在高功率密度环境下保持稳定工作温度。此外，该器件支持宽范围的栅极电压，±20V的栅源电压能力提升了其在复杂电压环境下的可靠性。
　　综合来看，CS5N65FA9HD在高压、高功率应用中表现优异，具备高效率、快速开关、低损耗和良好的热管理能力，是电源设计中的优选器件。

CS5N65FA9HD主要应用于需要高压、高功率处理能力的电子系统，例如电源适配器、服务器电源、DC-DC转换器、电机驱动器、工业电源、UPS（不间断电源）以及照明系统中的功率控制部分。此外，该器件也适用于各种类型的功率因数校正（PFC）电路，以提高电源转换效率。

STP12NM65N, FQA13N65C, FDPF6N60