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CS5N60FA9H 发布时间 时间:2025/8/2 0:07:55 查看 阅读:21

CS5N60FA9H 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造,具有低导通电阻和优异的开关性能。CS5N60FA9H 通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及工业自动化设备等领域。该MOSFET采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适合中高功率应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:5A
  最大漏源电压:600V
  导通电阻(RDS(on)):1.2Ω
  栅极电压范围:-20V至+20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220
  功率耗散:50W
  输入电容:800pF
  开启阈值电压:2V至4V

特性

CS5N60FA9H 采用先进的Trench沟槽技术,使其在保持高耐压能力的同时,显著降低导通电阻,提高导电效率。该器件的RDS(on)仅为1.2Ω,使其在导通状态下功耗更低,从而提高整体系统效率。此外,该MOSFET具备快速开关特性,适用于高频开关电路,有助于减小外部滤波元件的体积,提高系统功率密度。
  该器件的栅极电压范围为-20V至+20V,确保在不同驱动条件下都能稳定工作,并具有良好的抗干扰能力。其开启阈值电压在2V至4V之间,适用于常见的逻辑电平驱动电路,便于与MCU或驱动IC直接连接。
  CS5N60FA9H 采用TO-220封装,具备良好的热性能和机械稳定性,能够在较宽的温度范围内(-55°C至+150°C)可靠运行,适用于工业级和汽车级应用环境。其50W的最大功率耗散能力使其在高负载条件下仍能保持稳定运行,同时具备较高的耐用性和长期稳定性。

应用

CS5N60FA9H 广泛应用于各种中高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、马达驱动器、电池管理系统(BMS)、LED照明驱动电路以及工业控制设备中的负载开关。其优异的开关性能和导通损耗特性使其成为高频电源变换器和节能型电源设计的理想选择。
  在汽车电子领域,CS5N60FA9H 可用于车载逆变器、车载充电器以及电动车的电源管理系统。同时,该器件也可用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)系统以及智能电表等需要高效能功率开关的设备中。

替代型号

STP5NK60ZFP | FQP5N60C | IRF730 | 2SK2545

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