时间：2025/4/29 18:59:02
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CS4N80FA9HD 是一款高性能的 N 治道场效应晶体管（MOSFET），专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，能够承受较高的电流和电压，同时保持较低的功耗。其优异的热性能使其在高功率密度的应用场景中表现出色。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：16A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：27nC
开关时间：t_on=13ns, t_off=22ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
CS4N80FA9HD 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流条件下仍然能保持较低的功耗和发热。同时，其快速的开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
该器件的栅极驱动要求较低，因此可以轻松与各种控制器或驱动器配合使用。此外，CS4N80FA9HD 还具备良好的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。
其封装形式支持高效的散热管理，进一步增强了在高温环境下的稳定性。
CS4N80FA9HD 广泛应用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器、负载开关、电池保护电路以及其他需要高效开关操作的领域。
由于其高电流处理能力和低导通电阻，该器件特别适用于笔记本电脑适配器、服务器电源、通信设备电源等高功率应用场景。
此外，它也可以用作同步整流器中的开关元件，从而提高系统的整体效率。
CS4N80FA12HD
IRF840
FDP15N80E
