时间：2025/8/1 15:28:36
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CS4N65FA9L是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和DC-DC转换器等电子电路中。这款MOSFET具有高耐压和低导通电阻的特点，适用于需要高效能和高可靠性的场合。CS4N65FA9L采用先进的Trench沟槽技术，使其在导通损耗和开关损耗之间达到良好的平衡。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：4A
漏极-源极击穿电压（Vds）：650V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω @ Vgs=10V
封装类型：TO-220
功率耗散（Pd）：43W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
CS4N65FA9L的特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供了优异的开关性能和导通特性。此外，CS4N65FA9L具有较高的热稳定性和可靠性，使其能够在恶劣的环境条件下稳定工作。该MOSFET还具有较高的电流容量和较低的热阻，能够承受较大的负载电流，同时保持较低的工作温度。CS4N65FA9L的封装设计使得其易于安装和散热，适用于各种电源管理应用。
CS4N65FA9L通常用于电源转换器、电机驱动器、LED照明、电池充电器、工业自动化设备以及各种需要高效功率管理的场合。由于其高耐压和低导通电阻的特点，它也非常适合用于高效率的DC-DC转换器和电源供应器中。
FQP4N60C / IRF740 / STP4NK60Z
