CS4N65FA9HDY是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高功率开关应用。这款MOSFET采用了先进的超级结技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,使其在高效率电源转换器中表现优异,例如在DC-DC转换器、服务器电源、电信设备和工业控制系统中。CS4N65FA9HDY的封装形式为TO-247,具备良好的热性能和机械稳定性。
型号:CS4N65FA9HDY
制造商:ONSEMI(安森美半导体)
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:12A
漏源极电压:650V
导通电阻(RDS(on)):0.45Ω
栅极电荷:120nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247
CS4N65FA9HDY MOSFET采用了先进的超级结技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了效率。这种技术还允许在较小的芯片面积上实现更高的电流密度,使器件在高功率应用中更加可靠。此外,CS4N65FA9HDY具有较低的开关损耗,这得益于其优化的内部结构设计,使得在高频开关应用中表现出色。
该器件的TO-247封装提供了良好的散热性能,能够有效地将热量从芯片传导到外部散热器,确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。TO-247封装还具备较高的机械强度,适合在恶劣环境中使用。
CS4N65FA9HDY的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于广泛的工业和电信应用。其宽温度范围确保在极端工作条件下仍能保持稳定性和可靠性。此外,该MOSFET具备较高的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流而不损坏,从而提高了系统的鲁棒性。
CS4N65FA9HDY MOSFET广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、服务器电源、电信设备和工业控制系统等领域。由于其低导通电阻和快速开关特性,CS4N65FA9HDY非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。在服务器电源和电信设备中,CS4N65FA9HDY能够提供稳定的功率输出,同时减少能量损耗,提高整体系统效率。此外,该器件也常用于高功率LED驱动器和电动工具中的功率控制电路。
STF12N65M5, FCH071N65S3