CS4N65A4D 时间：2025/8/2 3:28:03 阅读：15

CS4N65A4D 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用而设计，具备低导通电阻、高耐压能力以及出色的热稳定性。CS4N65A4D 采用先进的超结（Super Junction）技术，能够在高电压条件下仍保持较低的导通损耗，使其成为电源适配器、开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器以及工业控制系统等应用的理想选择。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.5A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 1.75Ω
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK 等

特性

CS4N65A4D MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其采用的超结结构显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有较高的击穿电压（650V），能够承受较大的电压应力，适用于高输入电压的场合，如 AC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
　　此外，CS4N65A4D 具备良好的热稳定性，封装设计优化了散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，从而降低开关损耗，适用于高频开关应用。其栅源电压容限为 ±20V，提供了更宽的驱动电压范围，增强了与不同驱动电路的兼容性。
　　CS4N65A4D 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在非正常工作条件（如过压或瞬态电压）下提供额外的保护，提升系统的可靠性和耐用性。这使其在工业电源、LED 驱动器、电信设备和消费类电子产品中均具有广泛的应用前景。

应用

CS4N65A4D MOSFET 主要应用于需要高效率、高频率和高耐压能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、LED 照明驱动器、电机控制电路、电源适配器、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其具备低导通电阻和良好的热性能，CS4N65A4D 也适用于需要高可靠性的车载电源系统和新能源设备中的功率转换模块。