类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4A（在Tc=25℃时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大2.5Ω（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CS4N65A3HDY具备多项优良特性，适用于高要求的功率电子应用。首先，其漏源电压（VDS）高达650V，使其能够适用于高电压开关电源和工业控制设备。该MOSFET的栅源电压（VGS）为±20V，具有良好的栅极保护能力，可避免因过高的驱动电压而损坏器件。此外，其连续漏极电流（ID）为4A，在高温环境下仍能保持稳定的电流输出，确保系统运行的可靠性。
　　该器件的导通电阻（RDS(on)）最大为2.5Ω，在VGS=10V的条件下，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其脉冲漏极电流（IDM）可达16A，适用于短时高电流冲击的应用场合，如马达启动或负载突变情况。
　　CS4N65A3HDY的功耗（PD）为50W，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。其工作温度范围为-55℃至+150℃，存储温度范围也为-55℃至+150℃，表明其具备优异的温度适应能力，可在各种恶劣环境条件下稳定运行。
　　采用TO-252（DPAK）封装形式，CS4N65A3HDY支持表面贴装工艺，有助于提高生产效率并减小PCB面积。其封装结构还具有良好的热管理能力，有助于将热量快速散发，从而提高器件的可靠性和使用寿命。

CS4N65A3HDY广泛应用于多个高功率电子系统领域。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关器件，用于高效能AC-DC转换器，提高电源效率并降低发热。在DC-DC转换器中，CS4N65A3HDY适用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，确保系统在宽输入电压范围内的稳定运行。该器件还可用于负载开关，如在电池管理系统中作为控制开关，实现对负载的快速切断与连接，提高系统安全性和能效。此外，CS4N65A3HDY也适用于电机驱动电路，如直流无刷电机或步进电机的驱动控制，提供可靠的高电压和高电流切换能力。在工业自动化控制设备中，该MOSFET可用于控制高功率负载，如加热元件、电磁阀等，确保设备稳定运行。

FQA4N65C / FQP4N65 / IRF740 / STP4NK65Z