CS4N65 A4D 时间：2025/8/2 0:32:21 阅读：7

CS4N65 A4D是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET，常用于高电压、高频率的开关电源应用。这款MOSFET具有较高的效率和较低的导通电阻，适合用于DC-DC转换器、AC-DC电源供应器等场景。CS4N65 A4D属于650V、4A的MOSFET器件，具有良好的热性能和高可靠性，广泛应用于工业电源和消费类电子设备中。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.5Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

CS4N65 A4D具有多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其650V的漏源电压能力使得该器件适用于高压开关应用，如电源适配器和LED驱动器。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，CS4N65 A4D采用了先进的平面MOSFET技术，具备良好的热稳定性和较高的耐用性。该器件还具有较高的dv/dt耐受能力，有助于减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。在封装方面，CS4N65 A4D采用标准的TO-220封装，便于散热和安装，适用于各种电源设计。最后，该MOSFET具备较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于工业级和消费类电子设备中的关键电源转换环节。

应用

CS4N65 A4D广泛应用于各类功率转换和电源管理电路中。例如，在AC-DC转换器中，该器件可用作主开关，实现高效的能量转换。它也适用于DC-DC转换器，如升压（Boost）、降压（Buck）以及反激式转换器，为各类电子设备提供稳定的电源供应。此外，CS4N65 A4D还可用于LED照明驱动器、电动工具、充电器和适配器等应用场景。由于其高压特性，该MOSFET也适用于光伏逆变器、电机驱动和家用电器等需要高耐压和高效能的系统中。